推進面向IBM 2奈米技術的EUV光罩開發
東京2024年2月7日 /美通社/ — 居於全球領先地位的半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩。
根據該協議，從2024年第1季起的5年內，IBM和Toppan Photomask計劃在Albany NanoTech Complex（美國紐約州奧爾巴尼）和Toppan Photomask的朝霞工廠（日本新座市）開發光罩技術。
2nm及更高節點的半導體量產需要先進的材料選擇和製程控制知識，這遠遠超出了使用ArF準分子雷射作為光源的傳統主流曝光技術的要求。IBM和Toppan Photomask協議整合這些重要材料和流程控制技術，為2nm及更高節點的量產提供解決方案。
IBM和Toppan Photomask有著長久的技術合作歷史。2005年至2015年，IBM和Toppan Photomask（當時的凸版印刷）一直共同推進先進半導體光罩的研究開發。聯合開發從45nm節點開始，範圍擴大到32nm、22/20nm、14nm節點，及初步的EUV研發活動。所累積的技術專長為全球半導體產業的發展做出了貢獻。
此後，Toppan Photomask持續積極開發和生產用於EUV光刻的光罩和基板材料。此外，EUV量產光罩和下一代開發光罩的製造需要先進的多電子束光刻設備，Toppan Photomask安裝了多套最先進的多電子束光刻設備，以滿足最新的半導體技術路線要求。
Toppan Photomask代表取締役社長兼執行長二之宮照雄表示: “我們與IBM的合作對兩家公司來說都非常重要。這項協議將在支持半導體微型化、推動產業進步以及為日本半導體產業的發展做出貢獻等方面，發揮至關重要的作用。我們非常榮幸能夠在綜合評估我們的技術能力和成本競爭力的基礎上，被選為合作夥伴，我們將致力於加速實現2nm及更高節點製程。”
IBM全球半導體研發副總裁Huiming Bu表示：”利用EUV和高NA EUV光刻系統的新型光罩技術預期將在2nm及更高節點的半導體設計和製造中發揮關鍵作用。我們與Toppan Photomask的合作旨在透過開發新的解決方案來加速先進邏輯半導體的微型化創新，從而實現先進的代工製造能力，這是日本半導體供應鏈的關鍵部分。”
關於Toppan Photomask
Toppan Photomask Co., Ltd.（TPC）是全球領先的半導體光罩供應商，也是Toppan Holdings Inc.（TYO：7911）的集團公司。TPC總部位於東京，利用遍布全球的客戶服務網路和位於主要地區的八個製造工廠，以業界領先的技術開發能力為半導體產業的發展做出貢獻。TPC還將業務領域擴展到奈米壓印模具和其他奈米製造產品。欲了解更多信息，請訪問官方網站 https://www.photomask.co.jp/tc/。
前瞻性聲明
本新聞稿包含IBM和Toppan Photomask基於當前認知、假設、期望的前瞻性聲明，涉及風險和不確定性，可能導致實際結果與當前預期存在重大差異。
公司發言人 公司代理發言人
Bud Caverly Angie Kellen
Toppan Photomasks, Inc. Open Sky Communications
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